西班牙Sensofar共聚焦白光干涉仪为探针压痕测量带来的非接触式解决方案

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仪器设备介绍

产品简介

S-neox在半导体、光学器件、材料、超精密加工、航空航天等领域被广泛应用。能够观测产品材料的表面形貌和轮廓尺寸；能够实现产品结构的2D尺寸、3D尺寸测量；能够实现图像的自动拼接；

该设备具有高分辨率、大景深观察，纵向分辨率达0.01nm；能够进行表面粗糙度、平整度、台阶高度等微结构测量；

设备同时拥有白光干涉、相位差干涉、共聚焦、多焦面叠加等几种不同的测量功能技术，在使用中可以一键切换几种不同的测量模式，针对不同表面结构和不同精度要求的样品都能完成测量分析。

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芯片探针压痕3D检测

微米损伤精准量化方案

探针印记：

芯片终测的隐形隐患

在半导体芯片的最终测试环节，一根极细的探针会精确地落在芯片表面的焊垫上，施加压力，导通电路，以判断这颗芯片是否功能完好。这看似一次轻轻的“触摸"，却会在柔软的焊垫表面留下一个微米级的印记——探针压痕。这个印记的大小、深度和形貌，直接关系到芯片的电气连接可靠性与长期使用稳定性，但传统的二维显微镜很难对其给出一个令人信服的量化答案。

探针压痕的形成，本质上是材料力学与电学性能的一次微妙博弈。为了获得稳定的接触电阻，探针必须施加足够的压力以刺破焊垫表面的氧化层。然而，一旦压力过大或探针状态不佳，就会产生过深的压痕甚至造成焊垫材料的挤出与堆积。在芯片制程不断微缩、焊垫尺寸和间距越来越小的趋势下，一道深度异常的压痕就可能成为芯片在现场应用中过早失效的原因。

过去，工程师们通常只能通过经验或放大后的平面图像来“猜测"压痕的好坏，这种方式不仅主观性强，更难以发现那些隐藏在表面之下的潜在风险。精准量化印记深浅，是评估测试工艺合理性、规避批量报废的关键质控环节。

S neox：

纳米级探针印记精准测量

使用50倍干涉镜头测量

探针印记的三维轮廓图

Sensofar S neox 3D光学轮廓仪以干涉技术为核心，搭载50倍物镜，可在2秒内完成目标区域高速扫描，以纳米级纵向分辨率精准捕获印记深度信息。借助SensoPRO分析插件，系统能够自动执行批量数据处理，统计输出最大深度、平均深度等关键指标。整个测量流程采用非接触光学方式，避免对样品造成任何机械损伤，在完整量化压痕损伤程度的同时，为探针压力工艺参数的优化调整提供可信赖的数据支撑。

使用 SensoRRO Plugins插件分析

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