【简介】Sensofar光学轮廓仪在半导体领域的应用
SensofarS-neox集成多种干涉技术，实现纳米级3D形貌测量。专为半导体缺陷管控设计，精准量化尺寸、深度及体积，支持自动化分析与系统集成，有效提升制程良率。

Sensofar光学轮廓仪在半导体领域的应用

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仪器设备介绍

产品简介

S-neox在半导体、光学器件、材料、超精密加工、航空航天等领域被广泛应用。能够观测产品材料的表面形貌和轮廓尺寸；能够实现产品结构的2D尺寸、3D尺寸测量；能够实现图像的自动拼接；

该设备具有高分辨率、大景深观察，纵向分辨率达0.01nm；能够进行表面粗糙度、平整度、台阶高度等微结构测量；

设备同时拥有白光干涉、相位差干涉、共聚焦、多焦面叠加等几种不同的测量功能技术，在使用中可以一键切换几种不同的测量模式，针对不同表面结构和不同精度要求的样品都能完成测量分析。

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半导体缺陷管控

半导体缺陷：纳米尺度上的良率博弈

半导体制造的数百道工序中任何细微偏差都可能埋下隐患。光刻胶涂布厚度不均、刻蚀气体流量漂移、CMP抛光压力偏差，这些工艺波动累积成表面形貌异常；无尘室中难以消除的纳米级颗粒，成为后续薄膜生长的成核中心；晶圆搬运与清洗过程中的轻微划伤，在先进制程下被放大为致命缺陷。更隐蔽的是薄膜沉积内应力导致的翘曲、热膨胀系数不匹配引发的层间开裂，这些与材料本身相关的缺陷贯穿制造全流程。它们的代价远超单片报废，整批晶圆损失、可靠性风险引发的早期失效、缺陷追溯导致的产能拖累。

在半导体制造过程中，缺陷管控十分重要。即使是微观层面的表面不规则，也可能对器件性能和最终良率产生直接影响。传统的高通量视觉检测系统虽然能够实现晶圆级的大范围扫描，但通常无法获取缺陷的深度、体积及表面拓扑结构等三维信息。相较而言，3D光学轮廓测量技术提供了一种高分辨率、非接触的检测手段，能够精准表征缺陷的尺寸、深度与形貌特征，为分析工艺偏差和评估材料完整性提供关键数据支持，从而有效筑牢半导体制程的质量防线。

S neox：三维缺陷的精准捕手

针对半导体缺陷检测需求，Sensofar S neox 3D光学轮廓仪以干涉技术为核心，构建高精度、可集成的自动化测量方案。依托高倍率物镜，可在十余秒内完成缺陷区域三维形貌采集，精准获取尺寸、深度、体积及表面拓扑等关键参数。搭载SensoPRO Plugins插件，实现缺陷批量自动化识别与量化分析，一键生成含关键参数的报告并支持良率统计，显著降低人工检测成本。同时，设备提供标准化软件开发接口，可无缝集成至现有生产或检测系统，助力制造商优化工艺参数、提升产品良率。

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